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公司功率半導(dǎo)體研發(fā)中心大樓落成剪彩

發(fā)布時間:2012-08-02 來源:

7月25日下午,英國林肯當(dāng)?shù)仫L(fēng)和日麗、陽光燦爛,歷經(jīng)一年建設(shè)的功率半導(dǎo)體研發(fā)中心大樓落成并舉行隆重的竣工啟用儀式,中國南車總裁鄭昌泓親臨現(xiàn)場,與公司董事長丁榮軍共同為研發(fā)中心大樓剪彩。

功率半導(dǎo)體研發(fā)中心是公司與丹尼克斯共同出資在2010年5月成立的。兩年來,在技術(shù)研究、產(chǎn)品開發(fā)與人才培養(yǎng)等方面取得了快速發(fā)展,面向全球吸納高端人才,廣泛開展國際技術(shù)合作,整合相關(guān)技術(shù)資源,已經(jīng)形成了一個國際化、專業(yè)化的功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì),正在開展新一代IGBT、新一代HVDC晶閘管和碳化硅技術(shù)的研究開發(fā)工作,力爭以高競爭力的技術(shù)、產(chǎn)品與服務(wù)滿足軌道交通、智能電網(wǎng)、電動汽車、新能源、工業(yè)變流等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用需要,同時為株洲正在建設(shè)的國內(nèi)最先進(jìn)的8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線提供強(qiáng)有力的技術(shù)支持,以建設(shè)世界級功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心為目標(biāo),不斷加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)水平,加快開發(fā)先進(jìn)制造工藝,不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與跨越,快速形成產(chǎn)品和市場核心競爭力,全面支撐功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速、可持續(xù)發(fā)展。

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