近日，在湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會暨中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第三屆學術論壇現(xiàn)場，時代電氣董事長、新型功率半導體器件國家重點實驗室首席科學家丁榮軍院士正式向英國皇家工程院院士Florin Udrea發(fā)下聘書。這意味著 ，依托于時代電氣建設的國家級科技創(chuàng)新平臺“新型功率半導體國家重點實驗室”， 再添一國際權威。

Florin Udrea博士是英國劍橋大學教授、英國皇家工程院院士，也是高壓微電子及傳感器實驗室?guī)ь^人。他專精于功率半導體器件及固態(tài)傳感器研究，在功率半導體器件及傳感器方向擁有專利100余項，分別在集成電路、智能傳感器、功率器件、高壓氮化鎵和流體及傳感器等5個領域創(chuàng)建了5家公司，是行業(yè)內名副其實的國際頂尖技術“大咖”。受聘后，F(xiàn)lorin Udrea將成為新型功率半導體國家重點實驗室學術委員會委員。學術委員會作為國家重點實驗室的學術指導組織，職責是審議企業(yè)國家重點實驗室的目標、研究方向、重大學術活動、年度工作計劃和總結等。實驗室目前已擁有劉友梅、馬偉明、李立浧、丁榮軍、郝躍、羅安等6位中國工程院院士坐鎮(zhèn)指導。

2015年，國家科技部批準建設新型功率半導體國家重點實驗室，以國家重大需求為導向，基于新型功率半導體技術發(fā)展及其應用需求，開展器件基礎理論、前沿共性關鍵技術及其應用可靠性研究，支撐我國IGBT、SiC等新型功率半導體器件技術的原始創(chuàng)新，搶占技術制高點；開展持續(xù)深入的系統(tǒng)性研究，加強產(chǎn)學研合作，推動先進和前沿技術的轉化，在功率半導體行業(yè)技術進步中發(fā)揮引領、示范和輻射帶動作用。新型功率半導體器件國家重點實驗室的主要任務是開展SiC和新一代IGBT及超大容量雙極芯片及其封裝、組件關鍵技術研究，解決芯片、封裝與應用組件協(xié)同優(yōu)化難題；促進國內外技術交流與合作，完善行業(yè)技術標準；加強成果轉化、人才培養(yǎng)和學術團隊，建設形成國內新型半導體器件人才聚集基地。