SiC SBD芯片及器件
簡介：
產(chǎn)品參數(shù)：
| 反向重復(fù)峰值電壓（V） |
1200-3300 |
| 正向電流（A） |
10-50 |
| 運(yùn)行結(jié)溫（℃） |
-40-150 |
應(yīng)用：
軌交、電網(wǎng)、光伏等。
SiC MOSFET芯片
簡介：
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中車第4代中低壓SiC MOSFET芯片，為溝槽柵結(jié)構(gòu)，采用窄線寬技術(shù)，柵氧電場屏蔽技術(shù)，內(nèi)置柵極電阻。芯片具有低比導(dǎo)通電阻，高開關(guān)頻率，高可靠性，高魯棒性等特點(diǎn)；
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中車第3.5代中低壓SiC MOSFET芯片，為精細(xì)平面柵結(jié)構(gòu)，采用高可靠性柵氧技術(shù)，短溝道技術(shù)，內(nèi)置柵極電阻。芯片具有低溫度系數(shù)，高開關(guān)頻率，低開關(guān)損耗等特點(diǎn)；
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中車第2代高壓SiC MOSFET芯片,采用平面柵結(jié)構(gòu),高耐壓終端技術(shù),芯片內(nèi)置柵電阻;芯片具有低開關(guān)損耗,高工作頻率的特點(diǎn)。
產(chǎn)品參數(shù)：
| 擊穿電壓（V） |
750-3300 |
| 正向電流（A） |
30-175 |
| 運(yùn)行結(jié)溫（℃） |
-40-175 |
應(yīng)用：
高壓SiC MOSFET芯片適用于軌交領(lǐng)域。
中低壓SiC MOSFET適用于新能源汽車、充電樁、OBC等領(lǐng)域。
SiC器件和模塊
簡介：
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中車SiC模塊采用中車第3.5代精細(xì)平面柵SiC MOSFET,具有低開關(guān)損耗,高工作結(jié)溫,低導(dǎo)通電阻等特點(diǎn),配合銀燒結(jié)、銅線鍵合等先進(jìn)互連封裝工藝,產(chǎn)品具備足夠的魯棒性。涵蓋750V至3300V電壓范圍,適用于電動(dòng)汽車及軌道交通領(lǐng)域。
產(chǎn)品參數(shù)：
| 額定電壓（V） |
750-3300 |
| 額定電流（A） |
40-1000 |
| 工作結(jié)溫（℃） |
150-200 |
應(yīng)用：
軌交、電網(wǎng)、新能源汽車主驅(qū)、OBC、充電樁。